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万搏manbext官网appAnsys VeloceRF
电感器和变压器设计工具

万搏manbext官网appANSYS VELOCERF是一个电感器件合成和建模工具,支持高达3nm的高级节点,并与前导EDA平台集成。

电感器和传输线路

合成和模型螺旋装置和T线到3nm

万搏manbext官网appANSYS Velocerf大大减少了合成和模型复杂螺旋装置和T线所需的时间来缩短设计周期。汇编电感器或变压器几何体只需要几秒钟,只需几分钟即可才能进行模型和分析。它与领先的EDA平台集成,实例化了即可删除的布局。

  • 合成DRC清洁装置
    合成DRC清洁装置
  • 所有主要铸造厂支持
    所有主要铸造厂支持
  • 硅验证了
    硅验证了
  • 降低硅的尺寸和成本
    降低硅的尺寸和成本
合成和模型螺旋装置和T线至5nm

快速的规格

万搏manbext官网appAnsys VeloceRF允许您合成设备与多个设备和线的紧密封装为优化的硅平面。在详细布置之前,分析任意数量的感应装置之间的耦合,将减少设计尺寸,减少或消除保护环。

  • DRC-clean设备
  • 下到3nm
  • 验证准确
  • 设备形状库
  • 多个设备耦合
  • 参数扫描优化
  • 生成PCells / PyCells
  • 减少设备尺寸
  • 包括LDE效应
  • S参数和RCLK
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万搏manbext官网appANSYS Velocerf大大减少了合成和模型复杂螺旋装置和T线所需的时间来缩短设计周期。

电感器尺寸以及电感到电感器串扰会影响芯片尺寸。万搏manbext官网appANSYS VELOCERF通过使用优化标准和几何约束,帮助您设计较小的设备。此外,它还计算任何数量的电感器之间的耦合,以更好地优化硅房地产,并在电路上下文中优化电感器。万搏manbext官网appANSYS Velocerf的参数扫描支持在电路上下文中提供最佳性能解决方案。铸造效果准确性通过硅化型号弥补您设计的风险,有助于消除串扰故障。

万搏manbext官网appAnsys VeloceRF目前支持超过200种独特的铸造工艺,适用于任何工艺到3nm,包括CMOS, BiCMOS, GaAs, SOS和SOI,从所有半导体铸造厂-台积电,UMC, Global foundries, TowerJazz和三星等。该工具集成了领先的EDA设计平台和任何LVS工具。

电子性质可疑性

电子设备可靠性

了解Ansys集成电万搏manbext官网app子可靠性工具如何帮助您解决最大的热、电和机械可靠性挑战。

应用程序

将MM波设计的螺旋装置和T线用于3nm的合成和模型螺旋装置和T线

万搏manbext官网appVeloceRF在几分钟内就能合成和分析毫米波螺旋装置和t型线。它生成DRC/DFM清洁设备-包括填充到3nm。这些设备由被动的、因果的s参数和高度紧凑的RLCk网表模型建模,并可作为PCells/PyCells交付,以获得最大的几何灵活性。通过对多个设备和线路进行严密的底面布局填料,减少或消除保护环,优化可显著减小模具尺寸。它通过预定义的设备构建块库支持高频,并支持任意数量的感应设备之间的耦合。

图像描绘ANSYS VELOCE万搏manbext官网appRF合成和建模复杂螺旋装置和T线。

主要特点

VeloceRF提供全面的综合,建模,分析和优化的电感器件在硅上。

  • 硅验证了
  • 优化平面图包装
  • 减少设备尺寸
  • 预定义形状库
  • 使用参数扫描优化性能
  • 支持超过200种硅技术

单螺旋电感器:差分,单端,方形和八角形,有或没有中心水龙头。

Multispiral电感:变压器、平衡开关、t形线圈和串联差动器。

T-lines:屏蔽、双屏蔽、条形线、耦合器、接头器和其他类型的胶带。

万搏manbext官网appANSYS VELOCERF计算任何数量的电感器之间以更好地优化硅房地产的耦合。使用Velocerf,您可以拧紧或消除护罩,并优化硅地板。

万搏manbext官网appANSYS Velocerf提供电感参数的参数扫描支持,以在电路上下文中提供最佳解决方案。它允许电感器之间的独特耦合分析,以确保消除了与串扰相关的失败。

万搏manbext官网appANSYS VELOCERF为MM波频率的设计提供了经过验证的硅精度。各种T线结构支持Lego®类似的设计方法,包括:微带线,共面波导(屏蔽和双屏蔽),带状线,45°和90度弯曲,T型连接,短柱,支管耦合器,威尔金森分隔师等。

万搏manbext官网appAnsys Velocerf目前支持200多个独特的铸造技术,并与来自半导体成员(包括TSMC,UMC,Global Foundries,Towerjazz,Samsung等)的任何过程(CMOS,BICMOS,GAAS,SOS,SOI)合作。Velocerf支持下到3nm的所有流程节点。它与领先的EDA平台集成,VeloCerf模型可以与寄生提取的网手册组合。

万搏manbext官网appANSYS VELOCERF在完整的3D网格化算法将导线的体积分成小单元格之前计算布局依赖效果(LDE)。3D基板模型允许非常快速准确地提取分布式RC衬底网络。提取的模型非常准确,捕获所有电磁现象,包括电流分布,皮肤和邻近效应。

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